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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S160822D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| 中文描述： | 2Mx8 SDRAM的1M × 8位× 2銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 11/46頁 |
| 文件大小： | 1183K |
| 代理商： | K4S160822D |
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K4S160822D
CMOS SDRAM
- 11
Rev. 1.0 (Oct. 1999)
FREQUENCY vs. AC PARAMETER RELATIONSHIP TABLE
K4S160822DT-7
K4S160822DT-8
Frequency
CAS
Latency
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RRD
t
RCD
t
CCD
t
CDL
t
RDL
68ns
48ns
20ns
16ns
20ns
8ns
8ns
8ns
125MHz (8.0ns)
3
9
6
3
2
3
1
1
1
100MHz (10.0ns)
3
7
5
2
2
2
1
1
1
83MHz (12.0ns)
2
6
4
2
2
2
1
1
1
75MHz (13.0ns)
2
6
4
2
2
2
1
1
1
66MHz (15.0ns)
2
5
4
2
2
2
1
1
1
(Unit : Number of clock)
K4S160822DT-L
Frequency
CAS
Latency
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RRD
t
RCD
t
CCD
t
CDL
t
RDL
70ns
50ns
20ns
20ns
20ns
10ns
10ns
10ns
100MHz (10.0ns)
3
7
5
2
2
2
1
1
1
83MHz (12.0ns)
2
6
5
2
2
2
1
1
1
75MHz (13.0ns)
2
6
4
2
2
2
1
1
1
66MHz (15.0ns)
2
5
4
2
2
2
1
1
1
60MHz (16.7ns)
2
5
3
2
2
2
1
1
1
(Unit : Number of clock)
(Unit : Number of clock)
K4S160822DT-H
Frequency
CAS
Latency
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RRD
t
RCD
t
CCD
t
CDL
t
RDL
70ns
50ns
20ns
20ns
20ns
10ns
10ns
10ns
100MHz (10.0ns)
2
7
5
2
2
2
1
1
1
83MHz (12.0ns)
2
6
5
2
2
2
1
1
1
75MHz (13.0ns)
2
6
4
2
2
2
1
1
1
66MHz (15.0ns)
2
5
4
2
2
2
1
1
1
60MHz (16.7ns)
2
5
3
2
2
2
1
1
1
K4S160822DT-10
Frequency
CAS
Latency
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RRD
t
RCD
t
CCD
t
CDL
t
RDL
80ns
50ns
26ns
20ns
26ns
10ns
10ns
12ns
100MHz (10.0ns)
3
8
5
3
2
3
1
1
2
83MHz (12.0ns)
3
7
5
3
2
3
1
1
1
75MHz (13.0ns)
2
7
4
2
2
2
1
1
1
66MHz (15.0ns)
2
6
4
2
2
2
1
1
1
60MHz (16.7ns)
2
5
3
2
2
2
1
1
1
(Unit : Number of clock)
Frequency
CAS
Latency
t
RC
68ns
10
9
7
6
6
5
t
RAS
48ns
7
6
5
4
4
4
t
RP
20ns
3
3
2
2
2
2
t
RRD
14ns
2
2
2
2
2
1
t
RCD
20ns
3
3
2
2
2
2
t
CCD
7ns
1
1
1
1
1
1
t
CDL
7ns
1
1
1
1
1
1
t
RDL
7ns
1
1
1
1
1
1
143MHz (7.0ns)
125MHz (8.0ns)
100MHz (10.0ns)
83MHz (12.0ns)
75MHz (13.0ns)
66MHz (15.0ns)
3
3
2
2
2
2
(Unit : Number of clock)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622D | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622E | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC10 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC60 | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S160822DT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/FH | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/FL | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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