參數(shù)資料
型號： JS28F128P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數(shù)： 86/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： JS28F128P30T85
1-Gbit P30 Family
April 2005
86
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Figure 41.
Program Suspend/Resume Flowchart
Read Status
Register
SR.7 =
SR.2 =
Write FFh
Susp Partition
Read Array
Data
Program
Completed
Done
Reading
Write FFh
Pgm'd Partition
Write D0h
Any Address
Program
Resumed
Read Array
Data
0
No
0
Yes
1
1
PROGRAM SUSPEND / RESUME PROCEDURE
Write
Program
Resume
Data = D0h
Addr = Suspended block (BA)
OpBus
Comments
Write
Program
Suspend
Data = B0h
Addr = Block to suspend (BA)
Standby
Check SR.7
1 = WSM ready
0 = WSM busy
Standby
Check SR.2
1 = Program suspended
0 = Program completed
Write
Read
Array
Data = FFh
Addr = Any address within the
suspended partition
Read
Read array data from block other than
the one being programmed
Read
Status register data
Addr = Suspended block (BA)
PGM_SUS.WMF
Start
Write B0h
Any Address
Program Suspend
Read Status
Write 70h
Same Partition
Program Resume
Read Array
Read Array
Write
Read
Status
Data = 70h
Addr = Same partition
If the suspended partition was placed in Read Array mode:
Write
Read
Status
Return partition to Status mode:
Data = 70h
Addr = Same partition
Write 70h
Same Partition
Read Status
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JS28F256P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JS28F128P30T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
JS28F128P30TF75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
JS28F128P33B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
JS28F128P33BF700 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays
JS28F128P33BF70A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 128MBIT 70NS 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 128MBIT 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 128MBIT, 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 128MBIT, 56TSOP, Memory Type:Flash - NOR, Memory Size:128Mbit, Memory Configuration:8M x 16, Supply Voltage Min:2.3V, Supply Voltage Max:3.6V, Memory Case Style:TSOP, No. of Pins:56, Access Time:70ns, IC Interface , RoHS Compliant: Yes 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:Flash Memory 128Mb,3V,70ns,TSOP56
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