參數(shù)資料
型號(hào)： JS28F128P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁(yè)數(shù)： 23/102頁(yè)
文件大小： 1609K
代理商： JS28F128P30T85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
23
Figure 10.
512-Mbit Easy BGA Device Block Diagram
Figure 11.
512-Mbit QUAD+ SCSP Device Block Diagram
Figure 12.
1-Gbit QUAD+ SCSP Device Block Diagram
Flash Die #1
(256-Mbit)
Flash Die #2
(256-Mbit)
WP#
OE#
WE#
CLK
ADV#
F1-CE#
WAIT
RST#
VCC
VPP
DQ[15:0]
A[MAX:1]
VCCQ
VSS
Easy BGA 2-Die (512-Mbit) Device Configuration
Flash Die #1
(256-Mbit)
Flash Die #2
(256-Mbit)
WP#
OE#
WE#
CLK
ADV#
F1-CE#
WAIT
RST#
VCC
VPP
DQ[15:0]
A[MAX:0]
VCCQ
VSS
QUAD+ 2-Die (512-Mbit) Device Configuration
Flash Die #1
(256-Mbit)
Flash Die #3
(256-Mbit)
Flash Die #2
(256-Mbit)
Flash Die #4
(256-Mbit)
WP#
OE#
WE#
CLK
ADV#
F1-CE#
F2-CE#
WAIT
RST#
VCC
VPP
DQ[15:0]
A[MAX:0]
VCCQ
VSS
QUAD+ 4-Die (1-Gbit) Device Configuration
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JS28F256P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JS28F128P30T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869
JS28F128P30TF75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM 56TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
JS28F128P33B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
JS28F128P33BF700 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays
JS28F128P33BF70A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 128MBIT 70NS 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 128MBIT 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 128MBIT, 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 128MBIT, 56TSOP, Memory Type:Flash - NOR, Memory Size:128Mbit, Memory Configuration:8M x 16, Supply Voltage Min:2.3V, Supply Voltage Max:3.6V, Memory Case Style:TSOP, No. of Pins:56, Access Time:70ns, IC Interface , RoHS Compliant: Yes 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:Flash Memory 128Mb,3V,70ns,TSOP56
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*