參數資料
型號： JS28F128P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數： 79/102頁
文件大小： 1609K
代理商： JS28F128P30T85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
79
Figure 35.
Write State Machine—Next State Table (Sheet 2 of 6)
Setup
Busy
Word
Program
Suspend in
Erase
Suspend
Suspend
Word
Program
Busy in
Erase
Suspend
Setup
BP Load 1
BP Load 2
BP
Confirm
BP Busy in
Erase
Suspend
BP Busy
BP Suspend
in Erase
Suspend
BP
Suspend
BP Busy in
Erase
Suspend
Erase
Suspend
(Unlock
Block)
Setup
BEFP
Loading
Data (X=32)
Erase Suspend (Error)
Erase Suspend (Lock Error [Botch])
Ready (Error)
Ready (Error)
BP Suspend in Erase Suspend
Ready (Error in Erase Suspend)
BP Busy in Erase Suspend
BP Suspend
in Erase Suspend
BP Busy in Erase Suspend
Word Program Busy in Erase Suspend
Word
Program in
Erase
Suspend
Word Program Busy in Erase Suspend
Word Program Suspend in Erase Suspend
Lock/CR Setup in Erase
Suspend
Erase Suspend (Lock Error)
BP Confirm if Data load into Program Buffer is complete; Else BP Load 2
BP in Erase
Suspend
BP Load 2
Word Program Busy in Erase Suspend Busy
Word Program Suspend in Erase Suspend
BEFP Program and Verify Busy (if Block Address given matches address given on BEFP Setup command). Commands treated as data. (7)
BEFP
Busy
Buffered
Enhanced
Factory
Program
Mode
BP Load 1
Read
Array
(2)
Word
Program
(3,4)
Buffered
Program
(BP)
Erase
Setup
(3,4)
Buffered
Enhanced
Factory Pgm
Setup
(3, 4)
BE Confirm,
P/E
Resume,
ULB,
Confirm
(8)
BP / Prg /
Erase
Suspend
Read
Status
Clear
Status
Register
(5)
Read
ID/Query
Lock, Unlock,
Lock-down,
CR setup
(4)
(FFH)
(10H/40H)
(E8H)
(20H)
(80H)
(D0H)
(B0H)
(70H)
(50H)
(90H, 98H)
(60H)
Current Chip
State
(7)
Command Input to Chip and resulting
Chip
Next State
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PDF描述
JS28F256P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
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