參數(shù)資料
型號： JS28F128P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數(shù)： 30/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： JS28F128P30T85
1-Gbit P30 Family
April 2005
30
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
5.2
Operating Conditions
Note:
Operation beyond the “Operating Conditions” is not recommended and extended exposure beyond
the “Operating Conditions” may affect device reliability.
Table 11. Operating Conditions
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
Notes
T
C
Operating Temperature
–40
+85
°C
1,2
V
CC
VCC Supply Voltage
1.7
2.0
V
V
CCQ
I/O Supply Voltage
CMOS inputs
1.7
3.6
TTL inputs
2.4
3.6
V
PPL
V
PP
Voltage Supply (Logic Level)
0.9
3.6
3
V
PPH
t
PPH
Factory word programming V
PP
Maximum VPP Hours
8.5
9.5
V
PP
= V
PPH
V
PP
=
V
CC
-
80
Hours
Block
Erase
Cycles
Main and Parameter Blocks
100,000
-
Cycles
Main Blocks
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
-
1000
Parameter Blocks
-
2500
NOTES:
1.
2.
3.
T
= Case Temperature
Temperature for 1-Gbit SCSP is –30 °C to +85 °C.
In typical operation, the VPP program voltage is V
PPL
. VPP can be connected to 8.5 V – 9.5 V for 80
hours.
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JS28F128P33B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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