參數(shù)資料
型號： HYB18L256160BF-7.5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： RT ANG PCB CONT .40/1.295 BULK
中文描述： BJAWBMSpecialty DRAM的移動RAM
文件頁數(shù)： 44/49頁
文件大小： 1327K
代理商： HYB18L256160BF-7.5
HY[B/E]18L256160B[C/F]-7.5
256-Mbit Mobile-RAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
44
V1.4, 2004-04-30
Table 19
Parameter
Electrical Characteristics
1)
1) 0
°
C
≤
T
C
≤
70
°
C (comm.); -25
°
C
≤
T
C
≤
85
°
C (ext.); all voltages referenced to
V
SS
.
V
SS
and
V
SSQ
must be at same potential.
2)
V
IH
may overshoot to
V
DD
+ 0.8 V for pulse width < 4 ns;
V
IL
may undershoot to -0.8 V for pulse width < 4 ns.
Pulse width measured at 50% with amplitude measured between peak voltage and DC reference level.
Symbol
Values
Unit
Notes
min.
1.65
1.65
max.
1.95
1.95
Power Supply Voltage
Power Supply Voltage for DQ Output Buffer
Input high voltage
Input low voltage
Output high voltage
Output low voltage
Input leakage current
Output leakage current
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
V
V
V
V
V
V
μ
A
μ
A
–
–
2)
0.8
×
V
DDQ
-0.3
V
DDQ
- 0.2
–
-1.0
-1.5
V
DDQ
+ 0.3
0.3
–
0.2
1.0
1.5
2)
–
–
–
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18RL25632AC-4 MEMORY SPECTRUM
HYC3N2560NO50AA1AA CAP 560PF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
HYB18S128160TE-3 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
HYB25S128160TE-3 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
HYB18D128160TE-3 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
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參數(shù)描述
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