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參數(shù)資料
| 型號： | GS8342Q08AE-278 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 34/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 1045K |
| 代理商： | GS8342Q08AE-278 |
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GS8342Q08/09/18/36AE-278/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06a 7/2008
8/35
2006, GSI Technology
SigmaQuad-II B2 SRAM DDR Write
The write port samples the status of the W pin at each rising edge of K and the Address Input pins on the following rising edge of
K. A low on the Write Enable-bar pin, W, begins a write cycle. The first of the data-in pairs PQsociated with the write command is
clocked in with the same rising edge of K used to capture the write command. The second of the two data in transfers is captured on
the rising edge of K along with the write address. Clocking in a high on W causes a write port deselect cycle.
SigmaQuad-II B2 Double Data Rate SRAM Write First
Write A
Read B
Read C Write D
NOP
Read E Write F
Read G Write H
NOP
A
B
C
D
E
F
G
H
A
A+1
D
D+1
F
F+1
H
H+1
A
A+1
D
D+1
F
F+1
H
H+1
B
B+1
C
C+1
E
E+1
K
Address
R
W
BWx
D
C
Q
CQ
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