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參數(shù)資料
| 型號： | GS8342Q08AE-278 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 24/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 1045K |
| 代理商： | GS8342Q08AE-278 |
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GS8342Q08/09/18/36AE-278/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06a 7/2008
30/35
2006, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as shown unless otherwise noted.
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDD/2
TDO
VDD/2
50
Ω
30pF*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
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參數(shù)描述 |
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