參數(shù)資料
型號(hào)： GS8342Q08AE-278
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 4M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 32/35頁(yè)
文件大?。?/td> 1045K
代理商： GS8342Q08AE-278
GS8342Q08/09/18/36AE-278/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06a 7/2008
6/35
2006, GSI Technology
Notes:
1. NC = Not Connected to die or any other pin
2. C, C, K, or K cannot be set to VREF voltage.
Pin Description Table
Symbol
Description
Type
Comments
SA
Synchronous Address Inputs
Input
—
NC
No Connect
—
R
Synchronous Read
Input
Active Low
W
Synchronous Write
Input
Active Low
BW
Synchronous Byte Write
Input
Active Low
x9 only
BW0–BW3
Synchronous Byte Writes
Input
Active Low
x18/x36 only
NW0–NW1
Nybble Write Control Pin
Input
Active Low
x8 only
K
Input Clock
Input
Active High
K
Input Clock
Input
Active Low
C
Output Clock
Input
Active High
C
Output Clock
Input
Active Low
TMS
Test Mode Select
Input
—
TDI
Test Data Input
Input
—
TCK
Test Clock Input
Input
—
TDO
Test Data Output
Output
—
VREF
HSTL Input Reference Voltage
Input
—
ZQ
Output Impedance Matching Input
Input
—
Qn
Synchronous Data Outputs
Output
Dn
Synchronous Data Inputs
Input
Doff
Disable DLL when low
Input
Active Low
CQ
Output Echo Clock
Output
—
CQ
Output Echo Clock
Output
—
VDD
Power Supply
Supply
1.8 V Nominal
VDDQ
Isolated Output Buffer Supply
Supply
1.5 or 1.8 V Nominal
VSS
Power Supply: Ground
Supply
—
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PDF描述
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