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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8342Q08AE-278 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 31/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 1045K |
| 代理商： | GS8342Q08AE-278 |
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GS8342Q08/09/18/36AE-278/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06a 7/2008
5/35
2006, GSI Technology
4M x 9 SigmaQuad-II SRAM — Top View
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NC
SA
W
NC
K
NC
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SA
CQ
B
NC
SA
NC
K
BW
SA
NC
Q4
C
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VSS
SA
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D
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D5
NC
VSS
NC
E
NC
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NC
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VDD
VSS
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G
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NC
H
Doff
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VDDQ
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Q2
D2
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NC
L
NC
Q7
D7
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VSS
VDDQ
NC
Q1
M
NC
VSS
NC
D1
N
NC
D8
NC
VSS
SA
VSS
NC
P
NC
Q8
SA
C
SA
NC
D0
Q0
R
TDO
TCK
SA
C
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm2 Body—1 mm Bump Pitch
Note:
A2, A7, and B5 are reserved for future use PQ an address pin for higher density devices. They are not connected to the die on this device.
They may be left floating or be treated PQ an MCL pin (Must Connect Low) to PQsure the site will successfully accomodate a future, higher
density device. These pins may be marked PQ VSS, NC, or MCL by some vendors of compatible SRAMs.
Expansion Address
A2
72Mb
A7
144Mb
B5
288Mb
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS84018AB-190 | 256K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| GS840E18AGT-150T | 256K X 18 CACHE SRAM, 10 ns, PQFP100 |
| GS840E18AT-166IT | 256K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
| GS840F36AGT-10T | 128K X 36 CACHE SRAM, 10 ns, PQFP100 |
| GS840H18AT-100T | 256K X 18 CACHE SRAM, 12 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8342Q09AE-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 36MBIT 4M X 9 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8342Q10BD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
| GS8342Q18AE-167 | 制造商:GSI 功能描述: 制造商:GSI Technology 功能描述: |
| GS8342Q18AE-167I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 36MBIT 2MX18 0.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS8342Q18AE-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 36MBIT 2MX18 0.45NS 165FPBGA - Trays |
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