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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8161EV32BD-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 32 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 864K |
| 代理商： | GS8161EV32BD-200 |
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GS8161EV18B(T/D)/GS8161EV32B(D)/GS8161EV36B(T/D)
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 9/2004
11/34
2004, GSI Technology
Notes:
1. All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2. Byte Write Enable inputs BA, BB, BC and/or BD may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3. All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4. Bytes “C” and “D” are only available on the x36 version.
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
BA
BB
BC
BD
Notes
Read
H
X
1
Read
H
L
HHHH
1
Write byte a
H
L
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
LLLLL
2, 3, 4
Write all bytes
L
XXXX
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161Z18DGD-200IVT | 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8161Z18DT-250IV | 1M X 18 ZBT SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| GS8161Z18DT-200T | 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| GS816218 | 1M x 18, 512K x 36 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816236D-150IT | 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8161FZ18BD | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161FZ18BD-5.5 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161FZ18BD-5.5I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161FZ18BD-6.5 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161FZ18BD-6.5I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM |
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