參數(shù)資料
型號(hào)： GS8161EV32BD-200
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 32 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 29/34頁(yè)
文件大?。?/td> 864K
代理商： GS8161EV32BD-200
GS8161EV18B(T/D)/GS8161EV32B(D)/GS8161EV36B(T/D)
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 9/2004
4/34
2004, GSI Technology
TQFP Pin Description
Symbol
Type
Description
A0, A1
I
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
A
I
Address Inputs
DQA
DQB
DQC
DQD
I/O
Data Input and Output pins
NC
—
No Connect
BW
IByte Write—Writes all enabled bytes; active low
BA, BB, BC, BD
I
Byte Write Enable for DQA, DQB Data I/Os; active low
CK
I
Clock Input Signal; active high
GW
I
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
E1
I
Chip Enable; active low
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active low
ADSP, ADSC
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
VDD
I
Core power supply
VSS
I
I/O and Core Ground
VDDQ
I
Output driver power supply
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GS8161Z18DT-200T 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PQFP100
GS816218 1M x 18, 512K x 36 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236D-150IT 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
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參數(shù)描述
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GS8161FZ18BD-6.5I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM
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