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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8161EV32BD-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 32 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 21/34頁 |
| 文件大小： | 864K |
| 代理商： | GS8161EV32BD-200 |
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GS8161EV18B(T/D)/GS8161EV32B(D)/GS8161EV36B(T/D)
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 9/2004
28/34
2004, GSI Technology
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit Notes
1.8 V Test Port Input High Voltage
VIHJ
0.6 * VDD
VDD +0.3
V1
1.8 V Test Port Input Low Voltage
VILJ
–0.3
0.3 * VDD
V1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINHJ
–300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINLJ
–1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
IOLJ
–11
uA
4
Test Port Output High Voltage
VOHJ
1.7
—
V5, 6
Test Port Output Low Voltage
VOLJ
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
VOHJC
VDDQ – 100 mV
—
V5, 8
Test Port Output CMOS Low
VOLJC
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1. Input Under/overshoot voltage must be –2 V > Vi < VDDn +2 V not to exceed 3.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
2. VILJ ≤ VIN ≤ VDDn
3. 0 V
≤ VIN ≤ VILJn
4. Output Disable, VOUT = 0 to VDDn
5. The TDO output driver is served by the VDDQ supply.
6. IOHJ = –4 mA
7. IOLJ = + 4 mA
8. IOHJC = –100 uA
9. IOHJC = +100 uA
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as as shown unless otherwise noted.
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDDQ/2
Output reference level
VDDQ/2
DQ
VDDQ/2
50
30pF*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161Z18DGD-200IVT | 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8161Z18DT-250IV | 1M X 18 ZBT SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| GS8161Z18DT-200T | 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| GS816218 | 1M x 18, 512K x 36 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816236D-150IT | 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8161FZ18BD | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161FZ18BD-5.5 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161FZ18BD-5.5I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161FZ18BD-6.5 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161FZ18BD-6.5I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM |
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