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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS4LC256K16EO |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）) |
| 中文描述： | 3.3 256K × 16的CMOS的DRAM（江戶）（3.3 256K × 16的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/25頁(yè) |
| 文件大小： | 528K |
| 代理商： | AS4LC256K16EO |
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AS4LC256K16EO
2/1/01;
V.1.0
Alliance Semiconductor
P. 7 of 25
EDO page mode cycle
Refresh cycle
Output enable
Self refresh cycle
Std
Symbol
Parameter
-35
-45
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
PC
t
CAP
t
CP
t
PCM
t
CRW
t
RASP
Read
or
write cycle time (fast page)
15
–
17
–
25
–
ns
14
Access time from
CAS
precharge
–
19
–
21
–
23
ns
13
CAS
precharge time (fast page)
4
–
5
–
6
–
ns
EDO page mode RMW cycle
56
–
58
–
60
–
ns
Page mode
CAS
pulse width (RMW)
44
–
46
–
50
–
ns
RAS
pulse width
35
75K
45
75K
60
75K
ns
Std
Symbol
Parameter
-35
-45
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
CSR
t
CHR
t
RPC
CAS
setup time (
CAS
-before-
RAS
)
10
–
10
–
10
–
ns
3
CAS
hold time (
CAS
-before-RAS)
8
–
8
–
10
–
ns
3
RAS precharge to
CAS
hold time
0
–
0
–
0
–
ns
t
CPT
CAS
precharge time
(
CAS
-before-RAS counter test)
8
–
8
–
8
–
ns
Std
Symbol
Parameter
-35
-45
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
ROH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
RAS
hold time referenced to
OE
5
–
5
–
5
–
ns
OE
access time
–
10
–
10
–
10
ns
OE
to data delay
5
–
5
–
8
–
ns
Output buffer turnoff delay from
OE
–
8
–
8
–
8
ns
8
OE
command hold time
8
–
8
–
8
–
ns
Std SymbolParameter
-35
-45
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
RASS
RAS
pulse width
(CBR self refresh)
100K
–
100K
–
100K
–
ns
t
RPS
RAS
precharge time
(CBR self refresh)
85
–
85
–
85
–
ns
t
CHS
CAS
hold time
(CBR self refresh)
30
–
30
–
30
–
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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