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參數(shù)資料
| 型號： | AS4LC256K16EO |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線）) |
| 中文描述： | 3.3 256K × 16的CMOS的DRAM（江戶）（3.3 256K × 16的CMOS動態(tài)隨機存儲器（擴展數(shù)據(jù)總線）） |
| 文件頁數(shù)： | 24/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 528K |
| 代理商： | AS4LC256K16EO |
AS4LC256K16EO
2/1/01;
V.1.0
Alliance Semiconductor
P. 24 of 25
Package dimensions
Capacitance
Parameter
= 1 MHz, T
a
= room temperature, V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
Test conditions
Symbol
Signals
Max
Unit
Input capacitance
C
IN1
C
IN2
C
I/O
A0 to A8
V
in
= 0V
5
pF
RAS
,
UCAS
,
LCAS
,
WE
,
OE
V
in
= 0V
I/O0 to I/O15
7
pF
I/O capacitance
V
in
= V
out
= 0V
7
pF
44-pin TSOP II
Min
(mm)
Max
(mm)
A
1.2
A
1
A
2
b
0.05
0.95
1.05
0.30
0.45
c
0.127 (typical)
D
18.28
18.54
E
10.03
10.29
H
e
e
11.56
11.96
0.80 (typical)
l
0.40
0.60
D
H
e
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
13 14
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35
32 31
15 16
30 29
17 18 19 20
28 27 26 25
c
l
A
1
A
2
e
44-pin TSOP II
0–5°
21
24
22
23
E
A
b
40-pin SOJ
400 mil
Min
0.128
0.026
1.105
0.026
0.015
0.007
1.020
0.370 (typical)
0.395
0.435
0 050 (typical)
Max
0.148
-
1.115
0.032
0.020
0.013
1.035
A
A1
A2
B
b
c
D
E
E1
E2
e
0.405
0.445
e
D
E1
Pin 1
b
B
A1
A2
c
E
Seating
Plane
E2
A
40-pin SOJ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4LC4M16S0 | 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM) |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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