參數(shù)資料
型號： AS4LC256K16EO
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線）)
中文描述： 3.3 256K × 16的CMOS的DRAM（江戶）（3.3 256K × 16的CMOS動態(tài)隨機存儲器（擴展數(shù)據(jù)總線））
文件頁數(shù)： 19/25頁
文件大小： 528K
代理商： AS4LC256K16EO
AS4LC256K16EO
2/1/01;
V.1.0
Alliance Semiconductor
P. 19 of 25
EDO page mode byte read-modify-write cycle
t
RASP
t
RP
t
RCD
t
CAS
t
CSH
t
CRP
t
CP
t
CP
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CAH
t
ASC
t
CAH
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ASC
C n
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RAL
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CWD
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CWL
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CWL
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CWD
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WP
t
RWL
t
OEA
t
DH
t
OEZ
t
DH
t
CLZ
t
CAC
t
AA
t
OEZ
Data Out 1
Data In n
Data Out n
Data Out 2
Data In 2
R
C 1
C 2
RAS
UCAS
LCAS
Address
WE
OE
Upper Input
Upper Output
Lower Input
Lower Output
t
PCM
t
CAS
t
RSH
t
CAS
t
AWD
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ASC
t
WP
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CWL
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WP
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OEA
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OEA
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OED
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DS
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CAP
t
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AA
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CAC
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CLZ
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CRP
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RAD
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RAH
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ASR
t
RCS
t
RWD
t
RAC
Data In 1
t
CAC
CAH
t
AWD
t
AWD
t
CWD
t
DH
t
AA
t
OED
相關PDF資料
PDF描述
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM)
AS4LC4M16S0-75TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
AS4LC4M16S0-8TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
AS4LC8M8S0 3.3V 8M × 8 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 8M × 8 CMOS同步動態(tài)RAM)
AS4LC4M16S0-10FTC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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