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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS4LC256K16EO |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）) |
| 中文描述： | 3.3 256K × 16的CMOS的DRAM（江戶）（3.3 256K × 16的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 528K |
| 代理商： | AS4LC256K16EO |
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AS4LC256K16EO
2/1/01;
V.1.0
Alliance Semiconductor
P. 22 of 25
CAS
-before-
RAS
self refresh cycle
Typical DC and AC characteristics
Normalized access time t
RAC
vs. supply voltage V
CC
t
RP
t
RASS
t
RPC
t
CP
t
CHS
t
CEZ
RAS
UCAS
,
LCAS
DQ
t
RPS
t
CSR
t
RPC
Supply voltage (V)
2.7
3.6
3.9
3.3
3.0
0.8
0.9
1.1
1.2
1.0
1.3
1.4
1.5
N
Ambient temperature (°C)
–55
80
125
35
–10
0.8
0.9
1.1
1.2
1.0
1.3
1.4
1.5
N
Normalized access time t
vs. ambient temperature T
a
Load capacitance (pF)
50
200
250
150
100
30
40
60
70
50
80
90
100
T
Typical access time t
vs. load capacitance C
L
T
a
= 25°C
Supply voltage (V)
2.7
3.6
3.9
3.3
3.0
0.0
10
30
40
20
50
60
70
S
Typical supply current I
CC
vs. supply voltage V
CC
Ambient temperature (°C)
–55
80
125
35
–10
0.0
10
30
40
20
50
60
70
S
Typical supply current I
vs. ambient temperature T
a
Cycle rate (MHz)
2
8
10
6
4
0.0
5
15
20
10
25
30
35
P
Typical power-on current I
PO
vs. cycle rate 1/t
RC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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