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參數(shù)資料
| 型號： | AS4LC256K16EO |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線）) |
| 中文描述： | 3.3 256K × 16的CMOS的DRAM（江戶）（3.3 256K × 16的CMOS動態(tài)隨機存儲器（擴展數(shù)據(jù)總線）） |
| 文件頁數(shù)： | 10/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 528K |
| 代理商： | AS4LC256K16EO |
AS4LC256K16EO
2/1/01;
V.1.0
Alliance Semiconductor
P. 10 of 25
Early write cycle waveform
Upper byte early write cycle waveform
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CRP
t
RSH
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RCD
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CSH
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CAS
t
RAH
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Row Address
Column Address
Data In
RAS
Address
UCAS
LCAS
WE
OE
Upper I/O
Lower I/O
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ASR
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RAL
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CAS
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CWL
t
WCH
t
WCR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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