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參數(shù)資料
| 型號： | AS4LC1M16E5 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線)) |
| 中文描述： | 3V的100萬× 16個CMOS的DRAM（江戶）（3V的100萬× 16個CMOS動態(tài)隨機存儲器（擴展數(shù)據(jù)總線）） |
| 文件頁數(shù)： | 7/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 577K |
| 代理商： | AS4LC1M16E5 |
AS4LC1M16E5
12/15/00
Alliance Semiconductor
7
Hyper page mode cycle
Shaded areas indicate advance information.
Output enable
Shaded areas indicate advance information.
Self refresh cycle
Shaded areas indicate advance information.
Symbol
t
CPWD
t
CPA
t
RASP
t
DOH
t
REZ
t
WEZ
t
OEZ
t
HPC
t
HPRWC
t
RHCP
Parameter
CAS precharge to WE delay time
Access time from CAS precharge
RAS pulse width
Previous data hold time from CAS
Output buffer turn off delay from RAS
Output buffer turn off delay from WE
Output buffer turn off delay from OE
Hyper page mode cycle time
Hyper page mode RMW cycle
RAS hold time from CAS
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
Min
45
–
50
5
0
0
0
20
47
30
Max
–
28
100K
–
13
13
13
–
–
–
Min
52
–
60
5
0
0
0
25
56
35
Max
–
35
100K
–
15
15
15
–
–
–
16
Symbol
t
CLZ
t
ROH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
OLZ
t
OFF
Parameter
CAS to output in Low Z
RAS hold time referenced to OE
OE access time
OE to data delay
Output buffer turnoff delay from OE
OE command hold time
OE to output in Low Z
Output buffer turn-off time
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
11
Min
0
8
–
13
0
10
0
0
Max
–
–
13
–
13
–
–
13
Min
0
10
–
15
0
10
0
0
Max
–
–
15
–
15
–
–
15
11
11,13
Std Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
RASS
RAS pulse width
(CBR self refresh)
100
–
100
–
μs
t
RPS
RAS precharge time
(CBR self refresh)
90
–
105
–
ns
t
CHS
CAS
hold time
(CBR self refresh)
8
–
10
–
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4LC1M16S1 | 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM) |
| AS4LC256K16EO | 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線）) |
| AS4LC4M16S0 | 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM) |
| AS4LC4M16S0-75TC | 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM |
| AS4LC4M16S0-8TC | 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4LC1M16E5-50JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC1M16E5-50JI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC1M16E5-50TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC1M16E5-50TI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC1M16E5-60JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
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