參數(shù)資料
型號(hào)： AS4LC1M16E5
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
中文描述： 3V的100萬× 16個(gè)CMOS的DRAM（江戶）（3V的100萬× 16個(gè)CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線））
文件頁數(shù)： 4/22頁
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代理商： AS4LC1M16E5
AS4LC1M16E5
12/15/00
Alliance Semiconductor
4
DC electrical characteristics
Shaded areas indicate advance information.
Parameter
Symbol
Test conditions
0V
≤
V
in
≤
V
CC
(max)
Pins not under test = 0V
D
OUT
disabled, 0V
≤
V
out
≤
V
CC
(max)
RAS, UCAS, LCAS, Address cycling;
t
RC
=min
RAS = UCAS = LCAS
≥
V
IH
,
all other inputs at V
IH
or V
IL
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Input leakag
e c
urrent
I
IL
-2
+2
-2
+2
μ
A
Output leakage current
Operating power
supply current
TTL standby power
supply current
Average power supply
current, RAS refresh
mode or CBR
EDO page mode average
power supply current
CMOS standby power
supply current
I
OL
-2
+2
-2
+2
μ
A
I
CC1
–
140
–
130
mA
4,5
I
CC2
–
2.0
–
2.0
mA
I
CC3
RAS cycling, UCAS = LCAS
≥
V
IH
,
t
RC
= min of RAS low after XCAS low.
–
80
–
70
mA
4
I
CC4
RAS = V
IL
, UCAS or LCAS,
address cycling: t
HPC
= min
RAS = UCAS = LCAS = V
CC
- 0.2V
F = 0
I
OUT
= -5.0 mA
I
OUT
= 4.2 mA
–
85
–
75
mA
4, 5
I
CC5
–
1
–
1
mA
Output voltage
V
OH
V
OL
2.4
–
–
2.4
–
–
V
V
0.4
0.4
CAS before RAS refresh
current
I
CC6
RAS, UCAS or LCAS cycling, t
RC
= min
–
80
–
70
mA
Self refresh current
I
CC7
RAS = UCAS = LCAS
≤
0.2V,
WE = OE
≥
V
CC
- 0.2V,
all other inputs at 0.2V or
V
CC
- 0.2V
–
0.5
–
0.5
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4LC1M16S1 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC256K16EO 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）)
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC4M16S0-75TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
AS4LC4M16S0-8TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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