參數(shù)資料
型號： AS4LC1M16E5
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
中文描述： 3V的100萬× 16個CMOS的DRAM（江戶）（3V的100萬× 16個CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線））
文件頁數(shù)： 16/22頁
文件大小： 577K
代理商： AS4LC1M16E5
AS4LC1M16E5
12/15/00
Alliance Semiconductor
16
Hyper page mode early write waveform
Hyper page mode byte early write waveform
t
RAH
t
RASP
t
RWL
t
ASC
t
WCS
t
CP
t
RAL
t
WCH
t
CWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
OED
t
CAS
Col address
Col address
Col address
Data in
Data In
Data in
RAS
UCAS,
LCAS
Address
WE
OE
DQ
t
PC
t
CAH
t
CSH
t
RCD
t
OEH
t
HDR
t
AR
t
RAD
t
ASR
t
CRP
t
RSH
Row address
t
RASP
t
RP
t
CAS
t
CSH
t
CRP
t
CP
t
CP
t
RAD
t
ASC
t
RAL
t
WCS
t
WCS
t
WP
t
CWL
t
WCS
t
DS
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
Row
Column 1
Column 2
Column n
Data in 1
Data in n
Data In 2
RAS
UCAS
LCAS
Address
WE
OE
Lower DQ
Upper DQ
t
PC
t
RAH
t
WCH
t
WP
t
WP
t
CAH
t
RCD
t
PC
t
ASR
t
CRP
t
ASC
t
ASC
t
CAS
t
RSH
t
CAS
t
CAH
t
WCH
t
CAH
t
RPC
t
CRP
t
RWL
t
CWL
t
WCH
t
CWL
t
DH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4LC1M16S1 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM)
AS4LC256K16EO 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）)
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM)
AS4LC4M16S0-75TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
AS4LC4M16S0-8TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4LC1M16E5-50JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
AS4LC1M16E5-50JI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
AS4LC1M16E5-50TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
AS4LC1M16E5-50TI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
AS4LC1M16E5-60JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*