參數(shù)資料
型號： AS4LC1M16E5
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
中文描述： 3V的100萬× 16個(gè)CMOS的DRAM（江戶）（3V的100萬× 16個(gè)CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線））
文件頁數(shù)： 21/22頁
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代理商： AS4LC1M16E5
AS4LC1M16E5
12/15/00
Alliance Semiconductor
21
CAS-before-RAS self refresh cycle
Package dimensions
t
RP
t
RASS
t
RPC
t
CP
t
CHS
t
CEZ
RAS
UCAS,
LCAS
DQ
t
RPS
t
CSR
t
RPC
e
D
E1
Pin 1
b
B
A1
A2
c
E
Seating
Plane
E2
A
42-pin SOJ
Min
0.128
0.025
0.105
0.026
0.015
0.007
1.070
0.370 NOM
0.395
0.435
0.050 NOM
Max
0.148
-
0.115
0.032
0.020
0.013
1.080
A
A1
A2
B
b
c
D
E
E1
E2
e
0.405
0.445
SOJ
50-pin TSOP II
Min
(mm)
Max
(mm)
1.2
A
A
1
A
2
b
c
d
E
H
e
e
l
0.05
0.95
0.30
0.12
20.85
10.03
11.56
0.80 (typical)
0.40
1.05
0.45
0.21
21.05
10.29
11.96
0.60
d
H
e
1 2
3 4 5
6 7 8
9 10 11
50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40
15 16
36 35
17 18 19 20
34 33 32 31
c
l
A
1
A
2
e
TSOP II
0
–
5
°
21
30
22 23 24 25
29 28 27 26
E
A
b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4LC1M16S1 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC256K16EO 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）)
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC4M16S0-75TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
AS4LC4M16S0-8TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4LC1M16E5-50JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
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