參數(shù)資料
型號(hào)： AS4LC1M16E5
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
中文描述： 3V的100萬× 16個(gè)CMOS的DRAM（江戶）（3V的100萬× 16個(gè)CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線））
文件頁(yè)數(shù)： 5/22頁(yè)
文件大小： 577K
代理商： AS4LC1M16E5
AS4LC1M16E5
12/15/00
Alliance Semiconductor
5
AC parameters common to all waveforms
Shaded areas indicate advance information.
Read cycle
Shaded areas indicate advance information.
Symbol
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
T
t
REF
t
CP
t
RAL
t
ASC
t
CAH
Parameter
Random read or write cycle time
RAS precharge time
RAS pulse width
CAS pulse width
RAS to CAS delay time
RAS to column address delay time
CAS to RAS hold time
RAS to CAS hold time
CAS to RAS precharge time
Row address setup time
Row address hold time
Transition time (rise and fall)
Refresh period
CAS precharge time
Column address to RAS lead time
Column address setup time
Column address hold time
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
Notes
Min
80
30
50
8
15
9
10
40
5
0
8
1
–
8
25
0
8
Max
–
–
10K
10K
35
25
–
–
–
–
–
50
16
–
–
–
–
Min
100
40
60
10
15
10
10
50
5
0
10
1
–
10
30
0
10
Max
–
–
10K
10K
43
30
–
–
–
–
–
50
16
–
–
–
–
9
10
7,8
6
Symbol
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RCS
t
RCH
t
RRH
Parameter
Access time from RAS
Access time from CAS
Access time from address
Read command setup time
Read command hold time to CAS
Read command hold time to RAS
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
9
9,16
10,16
Min
–
–
–
0
0
0
Max
50
12
25
–
–
–
Min
–
–
–
0
0
0
Max
60
15
30
–
–
–
12
12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4LC1M16S1 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC256K16EO 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）)
AS4LC4M16S0 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM)
AS4LC4M16S0-75TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
AS4LC4M16S0-8TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4LC1M16E5-50JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
AS4LC1M16E5-50JI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
AS4LC1M16E5-50TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
AS4LC1M16E5-50TI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
AS4LC1M16E5-60JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
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