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參數(shù)資料
| 型號： | AS4LC1M16E5 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線)) |
| 中文描述： | 3V的100萬× 16個CMOS的DRAM（江戶）（3V的100萬× 16個CMOS動態(tài)隨機存儲器（擴展數(shù)據(jù)總線）） |
| 文件頁數(shù)： | 15/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 577K |
| 代理商： | AS4LC1M16E5 |
AS4LC1M16E5
12/15/00
Alliance Semiconductor
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| AS4LC4M16S0 | 3.3V 4M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 4M × 16 CMOS同步動態(tài)RAM) |
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| AS4LC4M16S0-8TC | 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AS4LC1M16E5-50JI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC1M16E5-50TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
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| AS4LC1M16E5-60JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
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