參數(shù)資料
型號: AS4LC1M16E5
廠商: Alliance Semiconductor Corporation
英文描述: 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM(擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
中文描述: 3V的100萬× 16個CMOS的DRAM(江戶)(3V的100萬× 16個CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器(擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
文件頁數(shù): 20/22頁
文件大小: 577K
代理商: AS4LC1M16E5
AS4LC1M16E5
12/15/00
Alliance Semiconductor
20
CAS before RAS refresh counter test waveform
t
RAS
t
RSH
t
RP
t
CSR
t
CHR
t
CPT
t
CAS
t
CAH
t
CLZ
t
CAC
t
RCH
t
RRH
t
ROH
t
OEA
t
RWL
t
CWL
t
WCS
t
WP
t
WCH
t
DS
Data in
t
DH
t
RCS
t
OEA
t
DS
Data in
t
DH
Col address
Data out
Data out
RAS
UCAS,
LCAS
Address
DQ
WE
OE
WE
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WE
OE
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OED
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AA
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WP
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AA
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OEZ
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AWD
t
CWD
t
RAL
R
W
R
t
ASC
t
OFF
t
RWL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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AS4LC4M16S0-75TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
AS4LC4M16S0-8TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
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