參數(shù)資料
型號: XC3S1200E-5FGG400C
廠商: Xilinx Inc
文件頁數(shù): 163/227頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC FPGA SPARTAN-3E 1200K 400FBGA
標準包裝: 60
系列: Spartan®-3E
LAB/CLB數(shù): 2168
邏輯元件/單元數(shù): 19512
RAM 位總計: 516096
輸入/輸出數(shù): 304
門數(shù): 1200000
電源電壓: 1.14 V ~ 1.26 V
安裝類型: 表面貼裝
工作溫度: 0°C ~ 85°C
封裝/外殼: 400-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 400-FBGA(21x21)
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁當前第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁
Spartan-3E FPGA Family: Functional Description
DS312 (v4.1) July 19, 2013
Product Specification
40
Block RAM Attribute Definitions
A block RAM has a number of attributes that control its
behavior as shown in Table 24.
Block RAM Data Operations
Writing data to and accessing data from the block RAM are
synchronous operations that take place independently on
each of the two ports. Table 25 describes the data
operations of each port as a result of the block RAM control
signals in their default active-High edges.
The waveforms for the write operation are shown in the top
half of Figure 33, Figure 34, and Figure 35. When the WE
and EN signals enable the active edge of CLK, data at the
DI input bus is written to the block RAM location addressed
by the ADDR lines.
Table 24: Block RAM Attributes
Function
Attribute
Possible Values
Initial Content for Data Memory, Loaded during
Configuration
INITxx
(INIT_00 through INIT3F)
Each initialization string defines 32 hex values of the
16384-bit data memory of the block RAM.
Initial Content for Parity Memory, Loaded
during Configuration
INITPxx
(INITP_00 through INITP0F)
Each initialization string defines 32 hex values of the
2048-bit parity data memory of the block RAM.
Data Output Latch Initialization
INIT
(single-port)
INITA
, INITB (dual-port)
Hex value the width of the chosen port.
Data Output Latch Synchronous Set/Reset
Value
SRVAL
(single-port)
SRVAL_A
, SRVAL_B (dual-port)
Hex value the width of the chosen port.
Data Output Latch Behavior during Write (see
WRITE_MODE
WRITE_FIRST, READ_FIRST, NO_CHANGE
Table 25: Block RAM Function Table
Input Signals
Output Signals
RAM Data
GSR
EN
SSR
WE
CLK
ADDR
DIP
DI
DOP
DO
Parity
Data
Immediately After Configuration
Loaded During Configuration
X
INITP_xx
INIT_xx
Global Set/Reset Immediately After Configuration
1
X
INIT
No Chg
RAM Disabled
0
X
No Chg
Synchronous Set/Reset
0
110
X
SRVAL
No Chg
Synchronous Set/Reset During Write RAM
0
111
addr
pdata
Data
SRVAL
RAM(addr)
← pdata
RAM(addr)
← data
Read RAM, no Write Operation
0
100
addr
X
RAM(pdata)
RAM(data)
No Chg
Write RAM, Simultaneous Read Operation
0
101
addr
pdata
Data
WRITE_MODE = WRITE_FIRST
pdata
data
RAM(addr)
← pdata
RAM(addr)
← data
WRITE_MODE = READ_FIRST
RAM(data)
RAM(addr)
← pdata
RAM(addr)
← pdata
WRITE_MODE = NO_CHANGE
No Chg
RAM(addr)
← pdata
RAM(addr)
← pdata
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PDF描述
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