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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W9812G6JH-6 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT,TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 656K |
| 代理商： | W9812G6JH-6 |
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W9812G6JH
Publication Release Date: Sep. 08, 2010
- 16 -
Revision A04
Notes:
1. Operation exceeds “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the devices.
2. All voltages are referenced to VSS.
3. These parameters depend on the cycle rate and listed values are measured at a cycle rate with the minimum
values of tCK and tRC.
4. These parameters depend on the output loading conditions. Specified values are obtained with output open.
5. Power up sequence is further described in the “Functional Description” section.
6.
AC test load diagram.
50 ohms
1.4 V
AC TEST LOAD
Z = 50 ohms
output
30pF
7. tHZ defines the time at which the outputs achieve the open circuit condition and is not referenced to output
level.
8. Assumed input rise and fall time (tT) = 1nS.
If tr & tf is longer than 1nS, transient time compensation should be considered,
i.e., [(tr + tf)/2-1]nS should be added to the parameter
(The tT maximum can’t be more than 10nS for low frequency application.)
9. If clock rising time (tT) is longer than 1nS, (tT/2-0.5)nS should be added to the parameter.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W986416AH-10 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO54 |
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| W986432DH-8 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86 |
| W987Z6CBG80 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| WA-1RVX051-A4 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| W9812G6JH-75 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16 SDRAM |
| W981616AH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K x 2 BANKS x 16 BIT SDRAM |
| W981616AH-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
| W981616AH-7 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
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