參數(shù)資料
型號(hào)： W9812G6JH-6
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT,TSOP2-54
文件頁數(shù)： 28/42頁
文件大?。?/td> 656K
代理商： W9812G6JH-6
W9812G6JH
Publication Release Date: Sep. 08, 2010
- 34 -
Revision A04
11.14 Power Down Mode
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
RAa
CAa
RAa
CAx
RAa
ax0
ax1
ax2
ax3
tSB
tCKS
tSB
tCKS
Active Standby
Power Down mode
Precharge Standby
Power Down mode
Active
NOP
Precharge
NOP Active
Note: The PowerDown Mode is entered by asserting CKE "low".
All Input/Output buffers (except CKE buffers) are turned off in the Power Down mode.
When CKE goes high, command input must be No operation at next CLK rising edge.
Violating refresh requirements during power-down may result in a loss of data.
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS
WE
CAS
RAS
CS
Read
RAa
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W986416AH-10 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO54
W986432DH-6 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86
W986432DH-8 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86
W987Z6CBG80 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
WA-1RVX051-A4 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W9812G6JH-6I 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 54TSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
W9812G6JH-75 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16 SDRAM
W981616AH 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K x 2 BANKS x 16 BIT SDRAM
W981616AH-6 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM
W981616AH-7 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM
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