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參數(shù)資料
| 型號： | W9812G6JH-6 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT,TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 7/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 656K |
| 代理商： | W9812G6JH-6 |
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W9812G6JH
Publication Release Date: Sep. 08, 2010
- 15 -
Revision A04
9.5 AC Characteristics and Operating Condition
(VDD = 3.3V
± 0.3V, TA = 0 to 70°C for -5/-6/-75, TA= -40 to 85°C for -6I/-6A) (Notes: 5, 6)
-5
-6/-6I/-6A
-75
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT NOTES
Ref/Active to Ref/Active Command
Period
tRC
55
60
65
Active to precharge Command Period
tRAS
40
100000
42 100000
45
100000
nS
Active to Read/Write Command Delay
Time
tRCD
15
20
Read/Write(a) to Read/Write(b)
Command Period
tCCD
1
tCK
Precharge to Active Command Period
tRP
15
20
Active(a) to Active(b) Command Period
tRRD
10
12
15
nS
CL* = 2
2
Write Recovery Time
CL* = 3
tWR
2
tCK
CL* = 2
10
1000
7.5
1000
10
1000
CLK Cycle Time
CL* = 3
tCK
5
1000
6
1000
7.5
1000
CLK High Level width
tCH
2
2.5
8
CLK Low Level width
tCL
2
2.5
8
CL* = 2
6
Access Time from CLK
CL* = 3
tAC
4.5
5
5.4
9
Output Data Hold Time
tOH
3
9
CL* = 2
6
7
Output Data High
Impedance Time
CL* = 3
tHZ
4.5
5
5.4
Output Data Low Impedance Time
tLZ
0
9
Power Down Mode Entry Time
tSB
0
5
0
6
0
7.5
nS
Transition Time of CLK (Rise and Fall)
tT
1
Data-in Set-up Time
tDS
1.5
8
Data-in Hold Time
tDH
0.8
8
Address Set-up Time
tAS
1.5
8
Address Hold Time
tAH
0.8
8
CKE Set-up Time
tCKS
1.5
8
CKE Hold Time
tCKH
0.8
8
Command Set-up Time
tCMS
1.5
8
Command Hold Time
tCMH
0.8
8
Refresh Time
tREF
64
mS
Mode register Set Cycle Time
tRSC
2
tCK
Exit self refresh to ACTIVE command
tXSR
70
72
75
nS
*CL = CAS Latency
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W986416AH-10 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO54 |
| W986432DH-6 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| W986432DH-8 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86 |
| W987Z6CBG80 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| WA-1RVX051-A4 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9812G6JH-6I | 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 54TSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| W9812G6JH-75 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16 SDRAM |
| W981616AH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K x 2 BANKS x 16 BIT SDRAM |
| W981616AH-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
| W981616AH-7 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
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