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參數(shù)資料
| 型號： | W9812G6JH-6 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT,TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 32/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 656K |
| 代理商： | W9812G6JH-6 |
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W9812G6JH
Publication Release Date: Sep. 08, 2010
- 38 -
Revision A04
11.19 Timing Chart of Burst Stop Cycle (Burst Stop Command)
Read
BST
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
BST
( a ) CAS latency =2
Command
( b )CAS latency = 3
(1) Read cycle
Q4
(2) Write cycle
Command
Read
Command
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
DQ
Write
BST
Note:
represents the Burst stop command
BST
11.20 Timing Chart of Burst Stop Cycle (Precharge Command)
01
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
(1 ) R e ad cy cle
(a ) C A S la te n c y = 2
C o m m a n d
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
P RCG
Re a d
(b ) C A S la te n c y = 3
C o m m a n d
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
P RCG
Re a d
DQ
(2 ) W r ite c ycle
Co m m a n d
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
P RCG
Write
DQ
DQ M
tW R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W986416AH-10 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO54 |
| W986432DH-6 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| W986432DH-8 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86 |
| W987Z6CBG80 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| WA-1RVX051-A4 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9812G6JH-6I | 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 54TSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| W9812G6JH-75 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16 SDRAM |
| W981616AH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K x 2 BANKS x 16 BIT SDRAM |
| W981616AH-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
| W981616AH-7 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
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