參數(shù)資料
型號(hào)： W9812G6JH-6
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT,TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 30/42頁(yè)
文件大小： 656K
代理商： W9812G6JH-6
W9812G6JH
Publication Release Date: Sep. 08, 2010
- 36 -
Revision A04
11.16 Auto-precharge Timing (Write Cycle)
Act
01
3
2
(1) CAS Latency = 2
(a) burst length = 1
DQ
45
7
68
9
11
10
Write
D0
Act
AP
Command
(b) burst length = 2
DQ
Write
D0
Act
AP
Command
tRP
D1
(c) burst length = 4
DQ
Write
D0
Act
AP
Command
tRP
D1
(d) burst length = 8
DQ
Write
D0
Act
AP
Command
tRP
D1
D2
D3
D2
D3
D4
D5
D6
D7
(2) CAS Latency = 3
(a) burst length = 1
DQ
Write
D0
Act
AP
Command
(b) burst length = 2
DQ
Write
D0
Act
AP
Command
tRP
D1
(c) burst length = 4
DQ
Write
D0
Act
AP
Command
tRP
D1
(d) burst length = 8
DQ
Write
D0
AP
Command
tRP
D1
D2
D3
D2
D3
D4
D5
D6
D7
tWR
12
Act
represents the Write with Auto precharge command.
represents the start of internal precharing.
represents the Bank Active command.
Write
AP
Act
When the /auto precharge command is asserted,the period from Bank Activate
command to the start of intermal precgarging must be at least tRAS (min).
Note )
CLK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W986416AH-10 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO54
W986432DH-6 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86
W986432DH-8 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86
W987Z6CBG80 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
WA-1RVX051-A4 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W9812G6JH-6I 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 54TSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
W9812G6JH-75 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16 SDRAM
W981616AH 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K x 2 BANKS x 16 BIT SDRAM
W981616AH-6 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM
W981616AH-7 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM
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