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參數(shù)資料
| 型號： | W971GG6IB-25 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| 封裝： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 45/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1360K |
| 代理商： | W971GG6IB-25 |
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W971GG6IB
Publication Release Date: Oct. 23, 2009
- 5 -
Revision A02
3. KEY PARAMETERS
SPEED GRADE
DDR2-1066
DDR2-800
DDR2-667
Bin(CL-tRCD-tRP)
7-7-7
5-5-5/6-6-6
5-5-5
SYM.
Part Number Extension
-18
-25
-3
Min.
1.875 nS
@CL = 7
Max.
7.5 nS
Min.
1.875 nS
2.5 nS
@CL = 6
Max.
7.5 nS
8 nS
Min.
3 nS
2.5 nS
3 nS
@CL = 5
Max.
7.5 nS
8 nS
Min.
3.75 nS
@CL = 4
Max.
7.5 nS
8 nS
Min.
5 nS
tCK(avg)
Average clock period
@CL = 3
Max.
8 nS
tRCD
Active to Read/Write Command Delay
Time
Min.
13.125 nS
12.5 nS
15 nS
tRP
Precharge to Active Command Period
Min.
13.125 nS
12.5 nS
15 nS
tRC
Active to Ref/Active Command Period
Min.
53.125 nS
52.5 nS
55 nS
tRAS
Active to Precharge Command Period
Min.
40 nS
IDD0
Operating current
Max.
130 mA
115 mA
110 mA
IDD1
Operation current (Single bank)
Max.
155 mA
140 mA
135 mA
IDD4R
Operating burst read current
Max.
245 mA
200 mA
180 mA
IDD4W
Operating burst write current
Max.
250 mA
205 mA
185 mA
IDD5B
Burst refresh current
Max.
370 mA
360 mA
350 mA
IDD6
Self refresh current
Max.
10 mA
IDD7
Operating bank interleave read current
Max.
450 mA
385 mA
330 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9751G6JB-25A | 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| W9751G8JB-18 | DDR DRAM, PBGA84 |
| W9812G21H-6I | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| W9812G21H-6C | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86 |
| W9812G6JH-6 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W971GG6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 8 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W971GG6JB-18 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1GB DDR2 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 1.875NS |
| W971GG6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:64MBX16 DDR2 制造商:Winbond 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA |
| W971GG6JB25I | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| W971GG6JB-25I | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:-40~85 1GB DDR2 FOR INDUSTRY |
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