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參數(shù)資料
| 型號： | W971GG6IB-25 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| 封裝： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 28/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1360K |
| 代理商： | W971GG6IB-25 |
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W971GG6IB
Publication Release Date: Oct. 23, 2009
- 34 -
Revision A02
Function Truth Table, continued
CURRENT
STATE
CS
RAS
CAS
WE
ADDRESS
COMMAND
ACTION
NOTES
H
X
DSL
Continue burst to end
L
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL
1
L
H
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
H
L
BA, A10
PRE/PREA
ILLEGAL
1
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
Read with
Auto-
precharge
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
H
X
DSL
Continue burst to end
L
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL
1
L
H
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
H
L
BA, A10
PRE/PREA
ILLEGAL
1
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
Write with
Auto-
precharge
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
H
X
DSL
NOP-> Idle after tRP
L
H
X
NOP
NOP-> Idle after tRP
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL
1
L
H
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
H
L
BA, A10
PRE/PREA
NOP-> Idle after tRP
1
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
Precharge
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
H
X
DSL
NOP-> Row active after tRCD
L
H
X
NOP
NOP-> Row active after tRCD
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL
1
L
H
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
H
L
BA, A10
PRE/PREA
ILLEGAL
1
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
Row
Activating
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9751G6JB-25A | 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| W9751G8JB-18 | DDR DRAM, PBGA84 |
| W9812G21H-6I | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| W9812G21H-6C | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86 |
| W9812G6JH-6 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W971GG6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 8 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W971GG6JB-18 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1GB DDR2 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 1.875NS |
| W971GG6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:64MBX16 DDR2 制造商:Winbond 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA |
| W971GG6JB25I | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| W971GG6JB-25I | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:-40~85 1GB DDR2 FOR INDUSTRY |
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