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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W3E32M64S-200SBI |
| 廠商： | WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 64 DDR DRAM, 0.8 ns, PBGA208 |
| 封裝： | 13 X 22 MM, PLASTIC, BGA-208 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/18頁(yè) |
| 文件大小： | 648K |
| 代理商： | W3E32M64S-200SBI |
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18
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
W3E32M64S-XSBX
January 2008
Rev. 6
Document Title
32M x 64 DDR SDRAM Multi-Chip Package
Revision History
Rev #
History
Release Date
Status
Rev 6
Changes (Pg. 1, 7, 15, 17)
6.1 Update package thickness to match Mechanical Outline
6.2 Add CAS Latency of 3 to Figure 3
January 2008
Final
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG6433S262BD4 | 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 |
| WS57C256F-35C | 32K X 8 UVPROM, 35 ns, CQCC32 |
| WF128K32A-120HSI | 512K X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 120 ns, CHIP66 |
| WF512K32-90HI5 | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CHIP66 |
| WMF2M8-90OPM5 | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, CDSO56 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W3E32M64S-200SBM | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:32M X 64 DDR, 2.5V, 200 MHZ, 208 PBGA, MIL-TEMP. - Bulk |
| W3E32M64S-250BC | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:32M X 64 DDR, 2.5V, 250 MHZ, 219 PBGA, COMMERCIAL TEMP. - Bulk |
| W3E32M64S-250BI | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:32M X 64 DDR, 2.5V, 250 MHZ, 219 PBGA, INDUSTRIAL TEMP. - Bulk |
| W3E32M64S-250BM | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:32M X 64 DDR, 2.5V, 250 MHZ, 219 PBGA, MIL-TEMP. - Bulk |
| W3E32M64S-250SBC | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:32M X 64 DDR, 2.5V, 250 MHZ, 208 PBGA, COMMERCIAL TEMP. - Bulk |
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