參數(shù)資料
型號: VG36641641BT
廠商: Vanguard International Semiconductor Corporation
英文描述: CMOS Synchronous Dynamic RAM
中文描述: 同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的CMOS
文件頁數(shù): 7/69頁
文件大小: 1364K
代理商: VG36641641BT
Document :1G5-0177
Rev.2
Page 7
VIS
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
AC Characteristics (Ta = 0 ~ 70°C, V
DD
= V
DDQ
= 3.3
0.3V , V
SS
= V
SSQ
= 0V, unless otherwise noted)
Test Conditions
AC input Levels (V
IH
/V
IL
)
Note): 1.if clock rising time is longer than 1ns, (tr/2-0.5ns) should be added to the parameter
.
Output Load Conditions
2.0 / 0.8V
Input timing reference level /
Output timing reference level
Output load condition
1.4V
Input rise and fall time
1ns
50pF
±
V
DDQ
V
DDQ
V
OUT
Device
Under
Test
50PF
Z = 50
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