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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | VG36641641BT |
| 廠商： | Vanguard International Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的CMOS |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 47/69頁(yè) |
| 文件大小： | 1364K |
| 代理商： | VG36641641BT |
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Document :1G5-0177
Rev.2
Page 47
VIS
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Random Row Read (Interleaving Banks) (2 of 2)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK3
Burs tLength=8, CAS Latency=3
Activate
Command
Bank B
Read
Hi-Z
Command
Bank B
QAa0 QAa1
QBa1 QBa2 QBa3QBa4 QBa5 QBa6 QBa7
Activate
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank B
QBb0
QBa0
Read
Command
Bank B
QAa3 QAa4 QAa5 QAa6 QAa7
QAa2
Read
Command
Bank A
tRCD
tAC3
tRP
High
Activate
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank A
* BS1=”L”, Bank C,D = Idle
*BS0
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PDF描述 |
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