參數(shù)資料
型號: VG36641641BT
廠商: Vanguard International Semiconductor Corporation
英文描述: CMOS Synchronous Dynamic RAM
中文描述: 同步動態(tài)隨機存儲器的CMOS
文件頁數(shù): 52/69頁
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代理商: VG36641641BT
Document :1G5-0177
Rev.2
Page 52
VIS
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Interleaved Column Read Cycle (1 of 2)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK2
Burst Length=4, CAS Latency=2
Activate
Command
Bank A
Read
Hi-Z
Command
Bank A
QBb1
QBd0
QAa0 QAa1 QAa2QAa3 QBa0 QBa1
Read
Command
Bank B
QBd2
QBd1
Precharge
Command
Bank B
Ra
Ra
Ra
Cb
Ra
Ca
Cb
Cc
Cb
Cd
QAb1
QBc0 QBc1
QBd3
Activate
Command
Bank B
Read
Command
Bank B
QBb0
QAb0
Read
Command
Bank B
Read
Command
Bank A
Read
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank A
tRCD
tAC2
* BS1=”L”, Bank C,D = Idle
*BS0
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