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參數(shù)資料
| 型號： | VG36641641BT |
| 廠商： | Vanguard International Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 6/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | VG36641641BT |
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Document :1G5-0177
Rev.2
Page 6
VIS
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
DC Characteristics 1
(Ta = 0 ~ 70°C, V
DD
= V
DDQ
= 3.3
0.3V, V
SS
= V
SSQ
= 0V, Ouput Open, unless otherwise noted)
NOTES
1. I
CC(max)
is specified at the output open condition.
2. -6 grade is available only on 4MX16 option.
3. Input signals are changed one time during 30ns.
4. Normal version: VG366440(80/16)41DT
5. Low power version: VG366440(80/16)41DTL
Parameter
Symbol
Test Conditions
Organization
Limits (max.)
-7
75
75
85
2
Unit Notes
-6
-
-
95
-7L
75
75
85
-8H
70
70
80
Operating current
I
CC1
One bank active
t
RC
= t
RC(MIN)
, t
CLK
= t
CLK(MIN)
,
BL = 1, CL=3
≥
≥
x4
x8
x16
mA
1, 2
Precharge standby
current in power down
mode
Precharge standby
current in non power
down mode
I
CC2
P
I
CC2
PS
CKE V
IL(MAX),
t
CK
= 15ns
CKE V
IL(MAX)
, CLK V
IL(MAX)
x4/x8/x16
mA
x4/x8/x16
1
I
CC2
N
t
CK
= 15ns, CKE
V
CC
- 0.2V
CLK V
IL(MAX),
All input signals are stable.
CKE V
IL(MAX)
, t
CK
= 10ns
CKE V
IL(MAX)
, CLK V
IL(MAX)
V
CC
- 0.2V
t
CK
= 15ns, CKE
V
CC
- 0.2V
CLK V
IL(MAX),
All input signals are stable.
All banks active
t
CK
= t
CK(MIN)
, BL=4, CL=3
All banks active
t
RC
= t
RC(MIN)
, t
CLK
= t
CLK(MIN)
CKE 0.2V
V
CC
- 0.2V
V
IH(MIN)
x4/x8/x16
20
mA
3
I
CC2
NS
V
IH(MIN)
V
x4/x8/x16
15
mA
Active standby current
in power down mode
I
CC3
P
I
CC3
PS
I
CC3
N
x4/x8/x16
7
mA
x4/x8/x16
5
Active standby current
in Nonpower down
mode
V
IH(MIN)
x4/x8/x16
30
mA
3
I
CC3
NS
V
IH(MIN)
V
x4/x8/x16
25
mA
Operating current
(Burst mode)
I
CC4
x4
x8
x16
-
-
90
90
100
130
90
90
100
130
70
70
80
110
mA
130
150
Refresh current
Self refresh current
I
CC5
I
CC6
x4/x8/x16
mA
mA
mA
x4/x8/x16
1
4
5
0.5
±
CKE
≥
CKE
CKE
≥
CKE
≥
≥
CKE
≥
CKE
≥
DC Characteristics 2
(Ta = 0 ~ 70°C, V
DD
= V
DDQ
= 3.3
Parameter
Input leakage current (Inputs)
0.3V , V
SS
= V
SSQ
= 0V, unless otherwise noted)
Symbol
I
I (L)
0 V
IN
V
DD(MAX)
Pins not under test = 0V
I
O (L)
0 V
OUT
V
DD(MAX)
DQ# in H - Z., D
OUT
is disabled
V
OH
I
OH
= -2mA
V
OL
I
OL
= 2mA
Test Condition
Min
Max
Unit
-5
5
uA
Output leakage current (I/O pins)
-5
5
uA
High level output voltage
2.4
V
Low level output voltage
0.4
V
±
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| VG36641641DT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-7L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-8H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
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