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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | VG36641641BT |
| 廠(chǎng)商： | Vanguard International Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的CMOS |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 59/69頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | VG36641641BT |
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Document :1G5-0177
Rev.2
Page 59
VIS
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Auto Precharge after Write Burst (2 of 2)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
t
CK3
Burst Length=4, CAS Latency=3
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
QBa3
QAa0 QAa1 QAa2QAa3 QBa0 QBa1
Ra
Ra
Ra
QAb3
QAb0 QAb1
Write
Command
Bank A
Write with
Auto Precharge
Command
Bank B
QBa2
QAb2
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
QBb0
Ra
Ca
Ca
RBb
Cb
Start Auto Precharge
Bank B
Start Auto
Precharge
Bank A
Start Auto Precharge
Bank B
High
Rb
Cb
QBb1 QBb2
Activate
Command
Bank B
Write with
Auto precharge
Command
Bank B
Auto Precharge
Write with
Rb
QBb3
* BS1=”L”, Bank C,D = Idle
*BS0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| VG36641641DT-6 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-7 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-7L | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
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