參數(shù)資料
型號: VG36641641BT
廠商: Vanguard International Semiconductor Corporation
英文描述: CMOS Synchronous Dynamic RAM
中文描述: 同步動態(tài)隨機存儲器的CMOS
文件頁數(shù): 57/69頁
文件大小: 1364K
代理商: VG36641641BT
Document :1G5-0177
Rev.2
Page 57
VIS
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Auto Precharge after Read Burst (2 of 2)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK3
Burst Length=4, CAS Latency=3
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
QBa3
QAa0 QAa1 QAa2QAa3 QBa0 QBa1
Ra
Ra
Ra
QAb3
QAb0 QAb1
Read
Command
Bank A
Read with
Auto Precharge
Command
Bank B
QBa2
QAb2
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
QBb0
Ra
Ca
Ca
RBb
Cb
Start Auto Precharge
Bank B
Start Auto
Precharge
Bank A
Start Auto Precharge
Bank B
High
Rb
Cb
QBb1 QBb2
Activate
Command
Bank B
Write with
Auto precharge
Command
Bank B
Auto Precharge
Read with
Rb
* BS1=”L”, Bank C,D = Idle
*BS0
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