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參數(shù)資料
| 型號： | VG36641641BT |
| 廠商： | Vanguard International Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動態(tài)隨機存儲器的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 25/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | VG36641641BT |
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Document :1G5-0177
Rev.2
Page 25
VIS
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
10.BURST Termination
There are two methods to terminate a burst operation other than using a read or a write command. One is the burst
stop command and the other is the precharge command.
10.1 BURST Stop Command
During a read burst, when the burst stop command is issued, the burst read data are terminated and the data bus
goes to high-impedance after the CAS latency from the burst stop command.
During a write burst, when the burst stop command is issued, the burst write data are termained and data bus goes to
Hi-Z at the same clock with the burst stop command.
Burst Termination
Remark
BST: Burst stop command
Remark
BST: Burst command
Burst lengh=X, CAS Intency=2,3
T6
CLK
Command
CAS latency=2
DQ
CAS latency=3
DQ
Q0
Q2
Q1
Read
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T7
BST
Hi-Z
Q0
Q2
Q1
Hi-Z
Burst lengh=X, CAS latency=2,3
T6
CLK
Command
CAS latency=2,3
DQ
Q0
Q2
Q1
Write
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T7
BST
Hi-Z_
Q0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| VGFX200K-SERIES | ASIC |
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| VGFX40K-SERIES | ASIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VG36641641DT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
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| VG36641641DT-8H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
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