參數(shù)資料
型號(hào): VG36641641BT
廠商: Vanguard International Semiconductor Corporation
英文描述: CMOS Synchronous Dynamic RAM
中文描述: 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的CMOS
文件頁(yè)數(shù): 32/69頁(yè)
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代理商: VG36641641BT
Document :1G5-0177
Rev.2
Page 32
VIS
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13
AC Parameters for Read Timing (1 of 2)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
Burst Length=2, CAS Latency=2
tCHtCL
tCK2
Begin Auto
Precharge
Bank B
tCKH
tCKS
tCMS
tCMH
tAH
tAS
tRRD
tRAS
tRC
tRCD
tAC2
tLZ
tOH
tAC2
tOH
tHZ
tRP
tHZ
Hi-Z
Activate
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Read with
Auto Precharge
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
QAa0
QAa1
QBa0
QBa1
* BS1=”L”, Bank C,D = Idle
*BS0
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