參數(shù)資料
型號： UPD44647094F5-E30-FQ1
元件分類： SRAM
英文描述： 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165
文件頁數(shù)： 34/36頁
文件大小： 479K
代理商： UPD44647094F5-E30-FQ1
7
Preliminary Data Sheet M18526EJ1V0DS
μPD44647094,44647184,44647364, 44647096,44647186,44647366
165-pin PLASTIC BGA (15x17)
(Top View)
[
μPD44647364], [μPD44647366]
2M x 36-bit
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
CQ#
NC/288M
A
W#
BW2#
K#
BW1#
R#
A
NC/144M
CQ
B
Q27
Q18
D18
A
BW3#
K
BW0#
A
D17
Q17
Q8
C
D27
Q28
D19
VSS
A
NC
A
VSS
D16
Q7
D8
D
D28
D20
Q19
VSS
Q16
D15
D7
E
Q29
D29
Q20
VDDQ
VSS
VDDQ
Q15
D6
Q6
F
Q30
Q21
D21
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
D14
Q14
Q5
G
D30
D22
Q22
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
Q13
D13
D5
H
DLL#
VREF
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VREF
ZQ
J
D31
Q31
D23
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
D12
Q4
D4
K
Q32
D32
Q23
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
Q12
D3
Q3
L
Q33
Q24
D24
VDDQ
VSS
VDDQ
D11
Q11
Q2
M
D33
Q34
D25
VSS
D10
Q1
D2
N
D34
D26
Q25
VSS
A
VSS
Q10
D9
D1
P
Q35
D35
Q26
A
QVLD
A
Q9
D0
Q0
R
TDO
TCK
A
NC
A
TMS
TDI
A
: Address inputs
TMS
: IEEE 1149.1 Test input
D0 to D35
: Data inputs
TDI
: IEEE 1149.1 Test input
Q0 to Q35
: Data outputs
TCK
: IEEE 1149.1 Clock input
R#
: Read input
TDO
: IEEE 1149.1 Test output
W#
: Write input
VREF
: HSTL input reference input
BW0# to BW3#
: Byte Write data select
VDD
: Power Supply
K, K#
: Input clock
VDDQ
: Power Supply
CQ, CQ#
: Echo clock
VSS
: Ground
ZQ
: Output impedance matching
NC
: No connection
DLL#
: DLL/PLL disable
NC/xxM
: Expansion address for xxMb
QVLD
: Q Valid output
Remarks 1.
×××# indicates active LOW signal.
2. Refer to Package Drawing for the index mark.
3. 2A and 10A are expansion addresses: 10A for 144Mb and 2A for 288Mb.
相關PDF資料
PDF描述
UPD4482321GF-A65-A 256K X 32 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
UPD4502161G5-A10-7JF x16 SDRAM
UPD4502161G5-A12-7JF x16 SDRAM
UPD45125161G5-A10-9JF Virtual Channel SDRAM
UPD45125161G5-A75-9JF Virtual Channel SDRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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UPD44647186AF5-E22-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
UPD44647186AF5-E25-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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