參數(shù)資料
型號： UPD44647094F5-E30-FQ1
元件分類： SRAM
英文描述： 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165
文件頁數(shù)： 31/36頁
文件大?。?/td> 479K
代理商： UPD44647094F5-E30-FQ1
4
Preliminary Data Sheet M18526EJ1V0DS
μPD44647094,44647184,44647364, 44647096,44647186,44647366
Feature Differences between QDR II and QDR II+
Features
QDR II
QDR II+
Note
Frequency (DLL/PLL ON)
120 MHz to 300 MHz
300 MHz to 400 MHz
Organization
x8 / x9 / x18 / x36
x9 / x18 / x36
VDD
1.8 ± 0.1 V
VDDQ
1.8 ± 0.1 V or 1.5 ± 0.1 V
1.5 ± 0.1 V
Read Latency (RL)
1.5 clocks
2.0 & 2.5 clocks
1
Input Clocks (K, K#)
Single Ended (K, K#)
Output Clocks (C, C#)
Yes
No
Echo Clock Number (CQ, CQ#)
1 Pair
2
Package
165 (11x15) pin PLASTIC BGA
Individual Byte Write (BWx#)
Yes
QVLD
No
Yes
3
Notes 1. QDR II+ read latency is not user selectable. Offered as two different devices.
2. Echo Clocks are single-ended inputs.
3. Edge aligned with Echo Clocks
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PDF描述
UPD4482321GF-A65-A 256K X 32 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
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參數(shù)描述
UPD44647186AF5-E22-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
UPD44647186AF5-E22-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
UPD44647186AF5-E25-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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