參數(shù)資料
型號: UPD44647094F5-E30-FQ1
元件分類: SRAM
英文描述: 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165
文件頁數(shù): 25/36頁
文件大?。?/td> 479K
代理商: UPD44647094F5-E30-FQ1
31
Preliminary
Data
S
heet
M185
26E
J1V
0DS
μP
D
44647094,
44647184,
44647364,
44647096,
44647186,
44647366
Test Logic Operation (Instruction Scan)
TCK
Controller
state
TDI
TMS
TDO
Test-Logic-Reset
Run-Test/Idle
Select-DR-Scan
Select-IR-Scan
Capture-IR
Shift-IR
Exit1-IR
Pause-IR
Exit2-IR
Shift-IR
Exit1-IR
Update-IR
Run-Test/Idle
IDCODE
Instruction
Register state
New Instruction
Output Inactive
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPD4482321GF-A65-A 256K X 32 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
UPD4502161G5-A10-7JF x16 SDRAM
UPD4502161G5-A12-7JF x16 SDRAM
UPD45125161G5-A10-9JF Virtual Channel SDRAM
UPD45125161G5-A75-9JF Virtual Channel SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPD44647186AF5-E22-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
UPD44647186AF5-E22-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
UPD44647186AF5-E25-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
UPD44647186AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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