參數(shù)資料
型號: UPD44647094F5-E30-FQ1
元件分類: SRAM
英文描述: 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165
文件頁數(shù): 16/36頁
文件大?。?/td> 479K
代理商: UPD44647094F5-E30-FQ1
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Preliminary Data Sheet M18526EJ1V0DS
μPD44647094,44647184,44647364, 44647096,44647186,44647366
JTAG AC Test Conditions
Input waveform (Rise / Fall time
≤ 1 ns)
0.9 V
Test Points
1.8 V
0 V
Output waveform
0.9 V
Test Points
Output load
Figure 2. External load at test
TDO
ZO = 50
Ω
VTT = 0.9 V
20 pF
50
Ω
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPD4482321GF-A65-A 256K X 32 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
UPD4502161G5-A10-7JF x16 SDRAM
UPD4502161G5-A12-7JF x16 SDRAM
UPD45125161G5-A10-9JF Virtual Channel SDRAM
UPD45125161G5-A75-9JF Virtual Channel SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPD44647186AF5-E22-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
UPD44647186AF5-E22-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
UPD44647186AF5-E25-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
UPD44647186AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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