參數(shù)資料
型號(hào): STP2200ABGA-100
元件分類: 存儲(chǔ)控制器/管理單元
英文描述: 256M X 8, DRAM CONTROLLER, PBGA225
封裝: PLASTIC, BGA-225
文件頁(yè)數(shù): 2/36頁(yè)
文件大?。?/td> 433K
代理商: STP2200ABGA-100
10
STP2200ABGA
Uniprocessor System Controller
USC
July 1997
=
DC Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Units
VIL
Input low voltage
0.8
V
VIH
Input high voltage
2.0
V
VIL
Input low voltage, CLK + / –
PECL inputs
VDD-1.81
VDD-1.475
V
VIH
Input high voltage, CLK + / –
PECL inputs
VDD-1.165
VDD-0.88
V
IIN
Input current
10
A
VOL
Output low voltage
leakage current only
0.4
V
VOH
Output high voltage
leakage current only
2.4
V
IOZ
High Z leakage current
10
A
IDD
Supply current
758
mA
PD
Power dissipation
2500
mW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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STP220N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6400pF @ 25V 功率 - 最大值:237W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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