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參數(shù)資料
| 型號： | S29PL064J |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| 中文描述： | 3.0伏的CMOS只，同步讀/寫閃存與增強(qiáng)VersatileIO控制記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 105/106頁 |
| 文件大小： | 1997K |
| 代理商： | S29PL064J |
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April 7, 200531107A62
S29PL127J/S29PL129J/S29PL064J/S29PL032J
103
P R E L I M I N A R Y
Revision A+4 (February 27, 2004)
Connection Diagrams
Added the 56-ball 7x9 mm pinout diagram.
Package Options
Updated to include the 8 x 6 mm, 48-ball Fine pitch BGA and 7 x 9 mm, 56-ball
Fine-pitch BGA options.
Physical Dimensions
Added the VBK048 package drawing.
Revision A+5 (March 15, 2004)
Connection Diagrams
Changed name of "
VBH064—64-Ball Fine-pitch Ball Grid Array 8 x 11.6 mm pack-
age (PL127J)
" section
Revision A+6 (May 24, 2004)
Global
Removed V
IO
, added TSOP, fixed SecSi DQ bits.
Product Selector Guide
Updated specs in this table.
Ordering Information
Updated the Model Number offerings.
Valid Combinations Table (128Mb)
Corrected the Package Markings for the 64-ball FBGA packages.
Added combinations for the TLC056 package on the PL064J and PL032J devices.
Valid Combinations for BGA Packages (128Mb)
Updated information in this table.
Package Options
Added the 7 x 9mm 56-ball package.
Connection Diagram
56-ball connection diagram
Erase/Programming Performance Table
Notes 1 and 2 corrected to reflect accurate temperature ranges and cycling.
Revision A+61 (August 13, 2004)
Revision A+62 (April 7, 2005)
Typical sleep mode current is 0.2uA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29PL127J | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| S29PL127J55 | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| S29PL127J60 | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| S29PL127J65 | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| S29PL127J70 | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29PL064J55BFI120 | 功能描述:閃存 64Mb 3V 55ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29PL064J60BAI120 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEM PARALLEL 2.7V TO 3.6V 64M-BIT 4M X 16 60NS 48-PIN - Trays |
| S29PL064J60BFI120 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 64MBIT 4MX16 60NS 48FBGA - Trays |
| S29PL064J60BFI120(E) | 制造商:Spansion 功能描述:Cut Tape |
| S29PL064J60BFW120 | 制造商:Spansion 功能描述:64M (4MX16) 3V, PAGE MODE, HAZMAT - Trays |
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