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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL064M90TAIR42 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256,128,64,32,Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 レm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142-EC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 97/116頁 |
| 文件大小： | 1656K |
| 代理商： | S29GL064M90TAIR42 |
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October 10, 2006 S29GL-M_00_B6
S29GL-M MirrorBit
TM
Flash Family
95
D a t a S h e e t
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations—S29GL064M
Notes:
1.
2.
3.
4.
Not 100% tested.
See
Erase and Programming Performance
for more information
For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
If a program suspend command is issued within t
, the device requires t
before reading
status data, once programming resumes (that is, the program resume command has been
written). If the suspend command was issued after t
POLL
, status data is available immediately
after programming resumes. See
Figure 24
.
Parameter
Description
Speed Options
Unit
J EDEC
Std.
90
10
11
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
110
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write (OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
35
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
25
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes 2, 3)
Typ
240
μs
Single Word Program Operation (Note 2)
Typ
60
Accelerated Single Word Program Operation (Note 2)
Typ
54
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec
t
RH
RESET# High Time Before Write
Min
50
ns
t
POLL
Program Valid before Status Polling (Note 5)
Ma
x
4
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064M90TAIR43 | 256,128,64,32,Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 レm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064M90TAIR70 | 256,128,64,32,Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 レm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064M90TAIR72 | 256,128,64,32,Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 レm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064M90TAIR73 | 256,128,64,32,Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 レm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064M90TAIR80 | 256,128,64,32,Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 レm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL064M90TAIR60 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 64M-Bit 4M x 16 90ns 48-Pin TSOP Tray |
| S29GL064M90TAIR70 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 4M x 16 90ns 48-Pin TSOP Tray |
| S29GL064M90TFIR20 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL064M90TFIR30 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 48-Pin TSOP Tray |
| S29GL064M90TFIR4 | 制造商:Spansion 功能描述:IC,EEPROM,NOR FLASH,4MX16/8MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC |
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