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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PN2000 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 75/105頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2030K |
| 代理商： | PN2000 |
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P
DC Typical Characteristics
PNP Switching Transistor
(continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 6
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
β
= 10
25 °C
- 40 oC
125 oC
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P 65
0.1
1
10
25
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 1V
25 °C
- 40 oC
125 oC
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
P 6
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE (o
I
C
V = 10V
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0
50
100
150
200
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
F
125 °C
25 °C
- 40 °C
Vce = 1V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
25 °C
- 40 oC
125 oC
β
= 10
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